MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的()。
A.放大区
B.饱和区
C.截止区
D.闭合
A.放大区
B.饱和区
C.截止区
D.闭合
第5题
A.开关速度高,开关损耗小
B.通态压降比MOSFET低,特别是在电流比较大的区域
C.输入阻抗低,其输入特性与电力MOSFET类似
第6题
电路如下图所示,设R1=R2=100kΩ,VDD=5V,Rd=7.5kΩ,VT=-1V,Kp=0.2mA/V2。试计算下图所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
第7题
A.三极管的伏安特性能全面地反映出各电极电压与流过电流之间的关系
B.伏安特性曲线中最常用的是输入特性和输出特性曲线
C.根据特性曲线,可以判断管子质量的好坏,也可以根据特性曲线作图对管子性能进行较全面地分析
D.要完整地描述三极管的伏安特性,至少得选用三组及以上表示不同端变量(即输入电压、输入电流、输出电压和输出电流)之间关系的特性曲线
第8题
A.三极管的伏安特性能全面地反映出各电极电压与流过电流之间的关系
B.伏安特性曲线中最常用的是输入特性和输出特性曲线
C.根据特性曲线,可以判断管子质量的好坏,也可以根据特性曲线作图对管子性能进行较全面地分析
D.要完整地描述三极管的伏安特性,至少得选用三组及以上表示不同端变量(即输入电压、输入电流、输出电压和输出电流)之间关系的特性曲线
第11题
A.漏极电流与漏源电压基本无关
B.漏极电流与栅漏电压无关
C.漏极电流与栅漏电压有关
D.漏极电流与漏源电压有一定的关系