根据CMOS反相器的传输特性曲线计算VIL和VIH。

A.CMOS反相器

B.CMOS逻辑门

C.CMOS传输门

D.双阱CMOS

在图(a)所示的施密特触发器电路中，已知R₁=10kΩ，R₂=30kΩ。G₁和G₂为CMOS反相器，V_DD=15V。

(1)试计算电路的正向阈值电压V_T+、负向阈值电压V_T+和回差电压△V_T。

(2)若将图(b)所示的波形加在图(a)所示的施密特触发器的输入端，试画出输出电压的波形。

一比较器电路如图题9.8.4所示。设运放是理想的，且V_REF=-1V，V_Z=5V，试求门限电压值V_T，画出比较器的传输特性v_O=f(v_I)。

C类谐振功率放大器电路如图(a)所示，偏置V_BB=0.2V，输入信号v_i(t)=1.0cosωtV，回路调谐在输入信号频率上，电源电压V_CC=20V。晶体管的转移特性曲线如图(b)所示，其中V_on=0.7V。要求：